네덜란드 라드바우드 대학교 연구팀은 X선을 이용하여 질화갈륨 반도체의 초기 성장 단계를 분석함. 라드바우드 대학교의 Elias Vlieg 팀이 Physical Review Letters 저널에 게재한 논문에 따르면, 측정 결과는 성장 조건에서 액체 갈륨과 반도체 물질 인터페이스의 원자 구조를 보여줌. 이 연구는 유망한 반도체 재료의 성장에 대한 이해를 높이고 성장을 더 잘 제어하기 위한 첫 번째 단계임............(상세내용 첨부 및 출처 참조)